Ofrece mejores prestaciones que las actuales. La memoria del
futuro.
A pesar de que comenzó a hablarse de ella en 2006 como
posible sustituta de los chips actuales basados en el silicio, lo cierto es que
es ahora cuando más cerca vemos su inclusión real en el mercado de los
dispositivos informáticos.
La memoria PCM (Phase Change Memory) o memoria de cambio de
fase está basada en un tipo especial de cristal, cristal calcógeno, compuesto
de germanio, antimonio y telurio, capaz de cambiar su estructura o forma debido
al calor.
Así, aplicando pequeños pulsos eléctricos a células aisladas
de este cristal amorfo, es posible modificar su morfología con objeto de
almacenar datos, ya que al cambiar de forma, también cambia su resistencia
eléctrica, propiedad empleada para determinar los estados binarios de cero y
uno básicos para generar la memoria.
Ventajas con respecto a los chips de silicio
Su mayor base es ante todo la velocidad. Este conglomerado
amorfo puede superar en miles de veces la velocidad de lectura y escritura de
las memorias de hoy día.
Se trata de una memoria no volátil, esto es, mantiene la
información aunque no tenga energía, por lo que puede funcionar como
dispositivo de almacenamiento similar a los conocidos SSD.
Su tiempo de vida también es mayor: tarda más tiempo en
degradarse pues, en teoría, puede alcanzar los 100 millones de ciclos de
escritura.
Hito de IBM en 2016
La compañía IBM lleva muchos años experimentando con esta
memoria de cambio de fase. En 2001 consiguió almacenar un bit en una celda de
memoria. Cinco años después, en 2016 acaba de anunciar que ha logrado almacenar
justo el doble: dos bits en una sola celda de memoria. Un avance considerable
en la densidad de esta memoria que en el futuro podría sustituir al silicio.
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